比較終采用的是硅管倍頻方案，即用Si三極管作為振蕩器件，首先振蕩在X波段，然后通過倍頻放大將基波倍頻至Ku波段，再通過濾波器取出工作頻率。

　　這種方案的優勢在于振蕩器起振容易，而且在X波段用Si三極管作為振蕩器件比常規FET的相位噪聲要好十幾個分貝，去除倍頻的相位噪聲損失（6dB），用倍頻的方式在Ku波段相位噪聲要比直接起振小10dB左右。另一個優點是選用Si三極管作為振蕩器件，基波的相位噪聲余量加大，調試時可適當加大介質諧振器的耦合度，這樣不僅能夠減小調試難度，而且可解決高低溫下易停振的問題，這一點對批量生產非常有利。

　　采用計算機輔助設計，可優化得出介質振蕩器在基波振蕩時的輸入反射系數和輸出阻抗，如、所示。

　　用硅管倍頻方案也同樣帶來不利的一面，為濾除基波信號要在組件中增加相應的高通濾波器，這無疑會加大體積，對排版帶來一定的難度；倍頻器要求輸入信號有一定的電平，要求在振蕩器和倍頻器之間要加一定增益的放大器，這肯定會增加整機的功耗和體積。

　　對上述不利的因素，采取下列措施：采用腔體高通濾波器，體積只有15@6@6mm3，對基波信號的抑制有80dB，帶內插損只有0.3dB，能很好滿足使用要求。

　　選用HITTITE公司的HMC516單片放大器，其增益高（20dB），輸出動態大（P-1=17dBm），體積小（2@1@0.2mm3），作為倍頻器的推動級較為合適。

　　研制后，對本振支路的測試如下：相位噪聲<-94dBc/Hz/10kHz基波信號抑制70dB輸出功率18dBm從本振支路的研制過程看，調試較為簡單，高低溫試驗結果理想，成品率高，有利于今后的批量生產，達到了預期設計的目標。

　　基波振蕩的輸入反射系數基波振蕩的輸入阻抗4上變頻器的設計上變頻器的作用是將SAW-VCO產生的60MHz信號與本振信號f0變頻到f0-60MHz.由組件的電路功能框圖結合指標要求可看出，該上變頻器的重點是要提高其對本振信號的抑制，這樣可以減輕后面濾波器的壓力，變頻損耗可以由放大器來彌補。

　　微波上變頻器的電路形式繁多，仍可分為單端的和平衡的兩大類。這兩類微波混頻器都是由功率混合路、阻抗匹配電路、混頻二極管和中頻輸出電路等幾部分組成。在樣品的初樣階段，采用了常規的混合環平衡式上變頻器，其變頻損耗為8dB，而本振抑制只有20dB左右。該形式的上變頻器比較大的缺點是由于混合環的存在而造成體積較大。所以，組件比較終采用了單片集成上變頻器，型號為HMC205，由美國HITTITE公司生產。該芯片的變頻損耗為9dB，而本振抑制卻有28dB，芯片的體積只有0.5@0.5@0.1mm3，其缺點是對本振電平要求較高。無疑，采用單片集成上變頻器可以大大減小組件的體積和加大本振抑制，而本振50雷達與對抗電平的大小可以通過放大器放大給出。

　　濾波器設計組件主振端口雜波抑制要在60dBc以上，由于中頻頻率只有60MHz，而本振工作頻率為Ku波段，這就對濾波器提出了非常高的要求。采用特殊結構實現高Q濾波器，在結構和裝配上都是本課題的一個難點。
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　　常規微帶形式的濾波器因其介質損耗大、Q值低而無法實現窄帶濾波器。

　　介質濾波器的Q值較高，在樣機階段，研制出三腔介質濾波器，但是其帶外抑制只有25dB，聯試主振支路的雜波抑制偏小。而且在濾波器的調試過程中，介質的位置、介質之間的耦合度都特別敏感，調試非常困難，成品率不高。

　　經多次比較，組件比較終采用的是單腔雙膜式濾波器。該濾波器采用特殊的金屬材料，帶寬只有10MHz左右，帶外抑制可達55dB，帶內插入損耗為7dB，中心頻率的高低溫變化只有2MHz，而且該濾波器的調試難度相對介質濾波器來說不大，完全滿足使用要求。

　　使用單腔雙膜式濾波器帶來的困難是如何與主振部分的對接。經多次試驗，不斷優化整體結構的設計，比較終將該濾波器與主振部分很好地相結合，主振部分的雜波抑制典型值為70dB，超過了合同的要求。
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