影響IGBT安全可靠與否的主要因素
發布時間：2019-08-02 09:52:59來源：
影響IGBT安全可靠與否的主要因素
若在IGBT的柵極和發射極之間加上驅動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態而使得晶體管導通；若IGBT的柵極和發射極之間電壓為0V，則MOSFET截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。
由此可知，IGBT的安全可靠與否主要由以下因素決定：
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