模塊分好多種本文介紹變頻器功率模塊怎樣判斷好壞

       判斷極性首先將萬用表撥在 R×1K 。擋，用萬用表測量時(shí)，若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則判斷此極為柵極（ G ）。其余兩極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調(diào)換表筆后測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極（ C ) ：黑表筆接的為發(fā)射極（ E ）。
　2 、判斷好壞將萬用表撥在 R×10KQ 檔，用黑表筆接 IGBT 的集電極（ C ) ，紅表筆接 IGBT 的發(fā)時(shí)極 ( E ) ，此時(shí)萬用表的指針在零位。用手指同時(shí)觸及一下柵極（ G ）和集電極（ C ) ，這時(shí)工 GBT 被觸發(fā)導(dǎo)通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，并能站們指示在某一位置。然后再用手指同時(shí)觸及一下柵極（ G ）和發(fā)射極（ E ) ，這時(shí) IGBT 被阻斷，萬用表的指針 回零。此時(shí)即可判斷 IGBT 是好的。

　 3 、注意事項(xiàng)任何指針式萬用表鈴可用于檢測 IGBT 。注意判斷IGBT 好壞時(shí)，一定要將萬用表撥在 R×IOK擋，因 R×IKQ 檔以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低，檢測好壞時(shí)不能使IGBT 導(dǎo)通，而無法判斷 IGBT 的好壞。此方法同樣也可以用護(hù)檢測功率場效應(yīng)晶體管 ( P 一 MOSFET ）的好壞。

功率模塊的好壞判斷主要是對(duì)功率模塊內(nèi)的續(xù)流兩極 管的判斷.對(duì)于IGBT模塊我們還需判斷在
有觸發(fā)電壓的情況下能否導(dǎo)通和關(guān)斷。
逆變器IGBT模塊檢測:
將數(shù)字萬用表撥到二極管測試檔,測試IGBT模塊c1 e1、c2 e2之間以及柵極G與 e1、 e2之間正反
向二極管特性,來判斷IGBT模塊是否完好。
以六相模塊為例。將負(fù)載側(cè)U、V、W相的導(dǎo)線拆除,使用二極管測試檔，紅表筆接P(集電極c1)，
黑表筆依次測U、V、W，萬用表顯示數(shù)值為比較大；將表筆反過來，黑表筆接P，紅表筆測U、V、W，
萬用表顯示數(shù)值為400左右。再將紅表筆接N（發(fā)射極e2），黑表筆測U、V、W，萬用表顯示數(shù)值為
400左右；黑表筆接P，紅表筆測U、V、W，萬用表顯示數(shù)值為比較大。各相之間的正反向特性應(yīng)相同，若出現(xiàn)差別說明IGBT模塊性能變差，應(yīng)予更換。IGBT模塊損壞時(shí),只有擊穿短路情況出現(xiàn)。
紅、黑兩表筆分別測柵極G與發(fā)射極E之間的正反向特性, 萬用表兩次所測的數(shù)值都為比較大，
這時(shí)可判定IGBT模塊門極正常。如果有數(shù)值顯示,則門極性能變差，此模塊應(yīng)更換。當(dāng)正反向測試
結(jié)果為零時(shí),說明所檢測的一相門極已被擊穿短路。門極損壞時(shí)電路板保護(hù)門極的穩(wěn)壓管也將擊穿損壞