影響IGBT可靠性的因素

若在IGBT的柵極和發射極之間加上驅動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態而使得晶體管導通；若IGBT的柵極和發射極之間電壓為0V，則MOSFET截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。

　　由此可知，IGBT的安全可靠與否主要由以下因素決定：

——IGBT柵極與發射極之間的電壓；

——IGBT集電極與發射極之間的電壓；

——流過IGBT集電極－發射極的電流；

——IGBT的結溫。

　　如果IGBT柵極與發射極之間的電壓，即驅動電壓過低，則IGBT不能穩定正常地工作，如果過高超過柵極－發射極之間的耐壓則IGBT可能永久性損壞；同樣，如果加在IGBT集電極與發射極允許的電壓超過集電極－發射極之間的耐壓，流過IGBT集電極－發射極的電流超過集電極－發射極允許的比較大電流，IGBT的結溫超過其結溫的允許值，IGBT都可能會永久性損壞。