IFCN AIM
2007.09
頁(yè) 2
IGBT模塊的損耗
􀂄 IGBT模塊的損耗源于內(nèi)部IGBT和二極管（續(xù)流FWD、整流）芯片的損耗，
主要是IGBT和FWD產(chǎn)生的損耗。
􀂄 IGBT不是一個(gè)理想開(kāi)關(guān)，體現(xiàn)在：
1）IGBT在導(dǎo)通時(shí)有飽和電壓– Vcesat
2）IGBT在開(kāi)關(guān)時(shí)有開(kāi)關(guān)能耗–Eon和Eoff
這是IGBT產(chǎn)生損耗的根源。Vcesat造成導(dǎo)通損耗，Eon和Eoff造成開(kāi)關(guān)
損耗。導(dǎo)通損耗 + 開(kāi)關(guān)損耗= IGBT總損耗。
􀂄 FWD也存在兩方面的損耗，因?yàn)椋?br/>1）在正向?qū)ǎ蠢m(xù)流）時(shí)有正向?qū)妷海篤f
2）在反向恢復(fù)的過(guò)程中有反向恢復(fù)能耗：Erec。
Vf造成導(dǎo)通損耗，Erec造成開(kāi)關(guān)損耗。導(dǎo)通損耗 + 開(kāi)關(guān)損耗= FWD總
損耗。
􀂄 Vcesat，Eon，Eoff，Vf和Erec體現(xiàn)了IGBT/FWD芯片的技術(shù)特征。因此
IGBT/FWD芯片技術(shù)不同，Vcesat，Eon，Eoff，Vf和Erec也不同。

SKKT106/16E  SKKT253/16E  PK130FG160  PK110F/160  PK250HB160

PK55F/160   PWB130A40  PWB100A40  PWB80A40  FS450R12KE3 

FS300R12KE3  7MBP150RA120  160MT160  DDB6U100N16R 

DDB6U100N16RR  DFA75BA160  DFA100BA160  BSM100GD120DN2

BSM100GD120DLC PDT4004  PDT4008  PDT40012   FP25R12KT3 

FP25R12KE3 FP50R12KE3  FP50R12KT3  FP75R12KE3  FP75R12KT3 

BSM100GB120DN2  BSM100GB120DLC  BSM150GB120DN2 

BSM200GB120DN2 BSM300GB120DLC TT162N16   

電話15515598858  QQ16921991