IFCN AIM
2007.09
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IGBT模塊的損耗
􀂄 IGBT模塊的損耗源于內(nèi)部IGBT和二極管（續(xù)流FWD、整流）芯片的損耗，
主要是IGBT和FWD產(chǎn)生的損耗。
􀂄 IGBT不是一個(gè)理想開關(guān)，體現(xiàn)在：
1）IGBT在導(dǎo)通時(shí)有飽和電壓– Vcesat
2）IGBT在開關(guān)時(shí)有開關(guān)能耗–Eon和Eoff
這是IGBT產(chǎn)生損耗的根源。Vcesat造成導(dǎo)通損耗，Eon和Eoff造成開關(guān)
損耗。導(dǎo)通損耗 + 開關(guān)損耗= IGBT總損耗。
􀂄 FWD也存在兩方面的損耗，因?yàn)椋?br/>1）在正向?qū)ǎ蠢m(xù)流）時(shí)有正向?qū)妷海篤f
2）在反向恢復(fù)的過程中有反向恢復(fù)能耗：Erec。
Vf造成導(dǎo)通損耗，Erec造成開關(guān)損耗。導(dǎo)通損耗 + 開關(guān)損耗= FWD總
損耗。
􀂄 Vcesat，Eon，Eoff，Vf和Erec體現(xiàn)了IGBT/FWD芯片的技術(shù)特征。因此
IGBT/FWD芯片技術(shù)不同，Vcesat，Eon，Eoff，Vf和Erec也不同。

SKKT106/16E  SKKT253/16E  PK130FG160  PK110F/160  PK250HB160

PK55F/160   PWB130A40  PWB100A40  PWB80A40  FS450R12KE3 

FS300R12KE3  7MBP150RA120  160MT160  DDB6U100N16R 

DDB6U100N16RR  DFA75BA160  DFA100BA160  BSM100GD120DN2

BSM100GD120DLC PDT4004  PDT4008  PDT40012   FP25R12KT3 

FP25R12KE3 FP50R12KE3  FP50R12KT3  FP75R12KE3  FP75R12KT3 

BSM100GB120DN2  BSM100GB120DLC  BSM150GB120DN2 

BSM200GB120DN2 BSM300GB120DLC TT162N16   

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